La memoria GDDR7 de 36 Gbps de Samsung en producción destaca la hoja de ruta futura

Samsung acaba exhibido sus productos para el futuro incluyendo GDDR7 memoria, 32GB de DDR5 Memoria y LPDDR5X DRACMA. Estas innovaciones desempeñan un papel clave a la hora de resaltar la posición de Samsung en la industria de los semiconductores y la memoria.

Memoria GDDR7

Para la próxima generación, GDDR7 será un elemento vital debido a los mayores requisitos de velocidad de datos. Los módulos GDDR7 de Samsung funcionan a 36Gbps que sobre un 384 bits la tarifa del autobús asciende a una enorme 1,728 TB/s de ancho de banda efectivo. Esto es ~70% más que el RTX 4090, que aún no se ha comercializado. Esta nueva memoria GDDR7 está dirigida a los segmentos de mercado de centros de datos, HPC, móviles, juegos y automoción.

Más de 1000 capas V-NAND

La tecnología V-NAND de Samsung ha superado 8 generaciones, con el número de capas aumentando en 10x. Su último 512GB V-NAND de octava generación promete una mejora de densidad de 42%. La V-NAND de novena generación se encuentra actualmente en desarrollo previsto para 2024. Por 2030se espera que veamos el de Samsung 1000 La tecnología V-NAND de capa llega al mercado.

A medida que las aplicaciones de inteligencia artificial y big data impulsan la necesidad de una memoria más rápida y de mayor capacidad, Samsung continuará superando la densidad de bits acelerando la transición a celdas de cuatro niveles (QLC), al tiempo que mejora aún más la eficiencia energética para respaldar operaciones más sostenibles de los clientes en todo el mundo. .

~ Samsung

Innovación DRAM

Samsung 1b DRAM está pasando por etapas de desarrollo y está prevista su producción en masa por 2023. Escalando más allá 10nm vino con su propio conjunto de problemas. Para superar estos problemas, la empresa ha desarrollado soluciones en patrones, materiales y arquitectura. Esto lo demuestran tecnologías como Alto-K materiales.

Al expandirse más allá de la DRAM convencional, Samsung también subrayó la importancia de las soluciones DRAM personalizadas, como HBM-PIM, AXDIMM y CXL, que pueden impulsar la innovación a nivel de sistema para manejar mejor el crecimiento explosivo de los datos en todo el mundo.
~ Samsung

Conclusión

Este año marca el 30 y 20 año respectivamente para el liderazgo de Samsung en DRACMA & NAND recuerdos flash. Samsung ha presentado su DRAM de clase 10 nm (1b) de quinta generación, así como V-NAND de octava y novena generación, afirmando la dedicación de la compañía a este segmento de mercado.

“Un billón de gigabytes es la cantidad total de memoria que Samsung ha fabricado desde sus inicios hace más de 40 años. Aproximadamente la mitad de ese billón se produjo solo en los últimos tres años, lo que indica cuán rápido está avanzando la transformación digital. A medida que los avances en el ancho de banda de la memoria, la capacidad y la eficiencia energética permitan nuevas plataformas y éstas, a su vez, estimulen más innovaciones en semiconductores, impulsaremos cada vez más un mayor nivel de integración en el viaje hacia la coevolución digital”.

— dijo Jung-bae Lee, presidente y director de negocios de memoria de Samsung Electronics.

Samsung Sin duda será un actor clave en los próximos años. La memoria es un componente vital utilizado en todos los segmentos de la industria de los semiconductores. El almacenamiento es lo que hace que una computadora sea una computadora. GDDR7 no llegará con RDNA3 de AMD. Sin embargo, esperamos que esta tecnología de vanguardia se incluya con NVIDIA. RTX5000 y AMD RDNA4.